車聯(lián)網(wǎng)與未來智慧城市：5G時(shí)代的交通革命

發(fā)布時(shí)間：2024-04-08

要實(shí)現(xiàn)未來智慧城市，建構(gòu)更安全、高效率的交通環(huán)境是至關(guān)重要的。在這一進(jìn)程中，具備連網(wǎng)和各種先進(jìn)功能的智能車輛扮演著關(guān)鍵角色。車聯(lián)網(wǎng)作為包括人、車、路、通信、服務(wù)平臺(tái)等5類要素的重要組成部分，備受關(guān)注。車聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)經(jīng)歷了多個(gè)階段，從最初的支持遠(yuǎn)程通話到如今的5G+V2X階段。隨著5G和V2X技術(shù)的不斷成熟，車聯(lián)網(wǎng)將成為5G交通和汽車領(lǐng)域跨界融合最具潛力的應(yīng)用之一。這一發(fā)展趨勢(shì)為通信服務(wù)提供商帶來了新的市場(chǎng)機(jī)會(huì)，同時(shí)也促使虛擬化開放無(wú)線接入網(wǎng)絡(luò)(ORAN)架構(gòu)發(fā)揮關(guān)鍵作用。在軟件定義汽車/網(wǎng)絡(luò)時(shí)代，C ...123

MOS管MOSFET科普介紹：工作原理、應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)電路

發(fā)布時(shí)間：2024-04-07

MOS管，即MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見的半導(dǎo)體器件，主要用于電路中的開關(guān)和放大等功能。以下是關(guān)于MOSFET的介紹：工作原理MOSFET中的MOS代表金屬氧化物半導(dǎo)體。MOSFET的工作原理是利用柵極與基極之間的電場(chǎng)控制通道的電阻值，從而實(shí)現(xiàn)放大或開關(guān)控制。三個(gè)極MOSFET的三個(gè)極分別是源極、柵極和漏極。源極和漏極之間的通道受柵極控制，柵極與源極之間的電壓改變通道電阻，從而改變?cè)礃O和漏極之間的電 ...123

半導(dǎo)體高級(jí)封裝技術(shù)：技術(shù)快速演進(jìn)成為行業(yè)支柱

發(fā)布時(shí)間：2024-04-07

高級(jí)封裝技術(shù)將在未來半導(dǎo)體領(lǐng)域扮演重要角色。在未來五年內(nèi)，一個(gè)系統(tǒng)中芯片數(shù)量將從4-10增加到10-30（增長(zhǎng)3倍），預(yù)計(jì)十年后這一數(shù)字將進(jìn)一步增加；在內(nèi)存方面，新的內(nèi)存架構(gòu)將改善內(nèi)存墻問題，望解決內(nèi)存容量、速度和功耗成為系統(tǒng)瓶頸的情況；在互聯(lián)方面，未來十年高級(jí)封裝的互聯(lián)線數(shù)量將從1000-2000增加至8000，同時(shí)采用新的IO接口技術(shù)（如PAM8和高密度WDM光學(xué)互聯(lián)）以提升數(shù)據(jù)帶寬并降低數(shù)據(jù)移動(dòng)成本。這些需求對(duì)應(yīng)了高級(jí)封裝技術(shù)的技術(shù)發(fā)展，MAPT在高級(jí)封裝章節(jié)提出了未來十年的技術(shù)方向。未來 ...123

半導(dǎo)體行業(yè)數(shù)字芯片：邏輯密度增速減慢，架構(gòu)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)步

發(fā)布時(shí)間：2024-04-07

數(shù)字芯片一直是半導(dǎo)體芯片中最核心的品類之一，其出貨量巨大，對(duì)半導(dǎo)體工藝的依賴程度很高，常常被視為推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的核心。因此，在MAPT路線圖中，對(duì)數(shù)字芯片相關(guān)的路線圖分析尤為詳實(shí)。在數(shù)字芯片的路線圖中，首先引人注目的是與傳統(tǒng)摩爾定律預(yù)測(cè)截然不同的數(shù)字。根據(jù)MAPT路線圖的預(yù)測(cè)，未來十年內(nèi)，晶體管密度將從目前的每平方厘米200億增加到每平方厘米800億，即增長(zhǎng)4倍。相比之下，過去摩爾定律預(yù)測(cè)每18個(gè)月晶體管密度翻倍，因此在十年內(nèi)晶體管密度應(yīng)該增加64倍以上。從MAPT路線圖的預(yù)測(cè)來看，未來 ...123